Soitec s'est réjoui mardi de la mise en place par Globalfoundries de la première plate-forme technologique de plaques de silicium sur isolant totalement 'déplétées' ('fully depleted FD-SOI') en 22 nm, la toute dernière avancée dans l'écosystème FD-SOI.
La technologie FD-SOI s'appuie sur des substrats ultra-minces fabriqués à l'aide du procédé 'smart cut' de Soitec, un standard de l'industrie.
Soitec explique que la fabrication de ses substrats FD-SOI 300 mm va pouvoir monter en puissance et répondre aux prévisions de l'industrie, grâce aux deux grands sites de production de pointe que compte le fondeur en Europe et à Singapour.
Des volumes supplémentaires de plaques identiques seront également proposés par le japonais Shin-Etsu Handotai (SEH), leader mondial de substrats de silicium et détenteur d'une licence 'smart cut'.
Les deux fournisseurs de substrats se sont dits prêts à renforcer leurs capacités en fonction des besoins.
D'après Globalfoundries, la technologie 22FDX doit permettre de générer d'importants gains d'efficacité et de coûts pour des applications exigeant des performances élevées et une faible consommation d'énergie avec la possibilité d'intégrer des fonctions analogiques et de radiofréquences
La technologie s'adresse également à d'autres marchés tels le multimédia grand public et les applications industrielles et automobiles.
En mai 2014, Samsung (KS:005930) avait annoncé la signature d'un accord global avec STMicroelectronics portant sur la technologie FD-SOI en 28 nm en vue d'une production en collaboration multi-source.
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La technologie FD-SOI s'appuie sur des substrats ultra-minces fabriqués à l'aide du procédé 'smart cut' de Soitec, un standard de l'industrie.
Soitec explique que la fabrication de ses substrats FD-SOI 300 mm va pouvoir monter en puissance et répondre aux prévisions de l'industrie, grâce aux deux grands sites de production de pointe que compte le fondeur en Europe et à Singapour.
Des volumes supplémentaires de plaques identiques seront également proposés par le japonais Shin-Etsu Handotai (SEH), leader mondial de substrats de silicium et détenteur d'une licence 'smart cut'.
Les deux fournisseurs de substrats se sont dits prêts à renforcer leurs capacités en fonction des besoins.
D'après Globalfoundries, la technologie 22FDX doit permettre de générer d'importants gains d'efficacité et de coûts pour des applications exigeant des performances élevées et une faible consommation d'énergie avec la possibilité d'intégrer des fonctions analogiques et de radiofréquences
La technologie s'adresse également à d'autres marchés tels le multimédia grand public et les applications industrielles et automobiles.
En mai 2014, Samsung (KS:005930) avait annoncé la signature d'un accord global avec STMicroelectronics portant sur la technologie FD-SOI en 28 nm en vue d'une production en collaboration multi-source.
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