Investing.com - Les analystes de Bernstein prévoient une explosion des mémoires à large bande passante (HBM) d'ici 2025, grâce à l'augmentation de la capacité CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate) et à une demande toujours forte qui devrait stimuler Samsung (KS :005930), SK Hynix (KS :000660) et Micron Technology (NASDAQ :MU).
L'expansion de la capacité CoWoS, qui devrait être multipliée par 2,4 en 2024, se déroule comme prévu. En outre, une expansion de 80 % d'une année sur l'autre est prévue en 2025, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd (BVMF :TSMC34) prenant confiance dans la durabilité de la demande.
- PROMOTION SPECIALE : Abonnez-vous à InvestingPro pour 1 an pour moins de 9 euros par mois et profitez d'outils et de conseils pour savoir quelles actions acheter et quelles actions vendre, quelles que soient les conditions de marché. Cliquez-ici pour en profiter avant qu'il ne soit trop tard !
L'introduction du HBM3E devrait également entraîner une légère augmentation des prix du HBM en 2024, mais la concurrence pourrait légèrement faire baisser la tendance à partir de 2025.
Par conséquent, les recettes de l'HBM devraient atteindre 12 milliards de dollars et 25 milliards de dollars en 2024 et 2025, respectivement, ce qui représente 12 % et 18 % des recettes totales de la DRAM.
Malgré des progrès plus lents que prévu, les analystes de Bernstein pensent que le HBM3/3E de Samsung sera finalement adopté par NVIDIA (NASDAQ :NVDA).
Les analystes prévoient que 2025 sera une année record, grâce à la poursuite des augmentations de prix.
Avec le HBM, cela devrait se traduire par des bénéfices par action record pour les trois fournisseurs en 2025.
Les analystes ont réitéré la note "Outperform" pour Samsung avec un objectif de prix de 104 000 KRW (contre 92 000 KRW).
SK hynix a reçu la note "Surperformance" avec un objectif de prix de 240 000 KRW (contre 185 000 KRW).
Micron a reçu la note Outperform, avec un objectif de prix de 140 USD (contre 105 USD).