Jeudi, Wells Fargo a mis à jour ses perspectives financières pour Micron Technology (NASDAQ:MU), en augmentant l'objectif de prix de l'action de 125,00 $ à 135,00 $ tout en maintenant une note de surpondération. Cet ajustement intervient dans un contexte d'évolution positive des offres de produits et du positionnement de Micron sur le marché.
L'analyse de la société a mis en évidence la mémoire à grande largeur de bande (HBM3E) de Micron comme un facteur important, notant que la capacité HBM3E de la société pour l'année civile 2024 a été épuisée, la grande majorité de l'offre de 2025 ayant déjà été allouée.
Micron a réitéré sa prévision de générer des centaines de millions de revenus en 2024 et vise à atteindre une part de marché comparable de plus de 20 % dans la DRAM en 2025. En outre, le pourcentage de marge brute pour la DRAM HBM3E devrait être relutif au cours du troisième trimestre fiscal de 2024.
Le rapport aborde également la dynamique de l'intelligence artificielle (IA) et la reprise des livraisons de serveurs traditionnels, prévoyant une croissance des livraisons de serveurs dans une fourchette moyenne à élevée de pourcentage à un chiffre d'une année sur l'autre pour 2024. La reprise du marché des serveurs traditionnels est considérée comme un catalyseur positif supplémentaire, parallèlement à l'élan soutenu des applications d'IA.
Les prévisions de Micron concernant la normalisation des stocks des clients au premier semestre 2024 ont été réitérées, avec une amélioration des perspectives de prix à la fois pour les DRAM et les NAND pour l'année civile 2024. Les prévisions de dépenses d'investissement de l'entreprise pour l'exercice 2024 restent inchangées, entre 7,5 et 8,0 milliards de dollars, les dépenses en équipements de fabrication de plaquettes (WFE) devant diminuer par rapport à l'année précédente.
Enfin, le commentaire de la firme a affirmé la confiance dans l'exécution technologique de Micron. Environ 75 % des bits DRAM de Micron sont maintenant sur des nœuds 1-alpha et 1-beta, et plus de 90 % de sa production NAND est sur des nœuds à 176 ou 232 couches. Le début de la production en volume de DRAM 1-gamma utilisant la lithographie par ultraviolet extrême (EUV) est prévu pour l'année civile 2025.
Cet article a été généré et traduit avec l'aide de l'IA et revu par un rédacteur. Pour plus d'informations, consultez nos T&C.